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當前位置：首頁產品中心光電探測器 Si硅光電探測器16mm四象限Si光電探測器SIQ1600

16mm四象限Si光電探測器SIQ1600

產品簡介

16mm四象限Si光電探測器SIQ1600：器件是N型硅象限探測器，當光輻射到器件各個象限的輻射通量相等時，則各個象限輸出的光電流相等。而當目標發生偏移時，由于象限間輻射通量的變化，引起各個象限的輸出光電流的變化，由此可測出物體的方位，從而起到跟蹤、制導的作用。
16mm四象限Si光電探測器/N型硅象限探測器光敏面直徑 16mm,直流響應度 0.3A/W

產品型號：

更新時間：2024-12-04

廠商性質：經銷商

訪問量：1740

產品咨詢 18602170419

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產品分類

光電探測器

超快光電探測器/EOT 單光子探測器/計數器光電倍增管其他光電探測器 Ge鍺光電探測器 Ge鍺光電二極管砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb InP磷化銦光電探測器 Si硅光電探測器 Si硅光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電探測器 MCT碲鎘汞探測器

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品牌	其他品牌	產地類別	進口
應用領域	化工,能源,建材/家具,電子/電池

器件是N型硅象限探測器，當光輻射到器件各個象限的輻射通量相等時，則各個象限輸出的光電流相等。而當目標發生偏移時，由于象限間輻射通量的變化，引起各個象限的輸出光電流的變化，由此可測出物體的方位，從而起到跟蹤、制導的作用。

產品特點

● 標低暗電流

● 高均勻性、高對稱性

● 高可靠性

● 盲區小

封裝及尺寸

外形結構

TO型氣密性封裝。外形結構見圖1，外形尺寸見表1。

2345截圖20191014101445.png

2345截圖20191014101905.png

表1、外形尺寸（單位為毫米）

尺寸符號	φD1	ΦD2	ΦD3	ΦD4	ΦD5	Φd	A	L1	L2	L3	e
最小值	30.55	27.80	3.00	27.915	22.60	0.98	7.03	3.02	1.85	2.70	18.00
最大值	30.65	28.00	3.06	27.94	23.40	1.02	7.20	3.10	1.95	3.00	18.05

引出端排列

器件的引出端排列見圖2，引出端功能應符合表2的規定。

2345截圖20191014103311.png

表2、引出端功能表

管腳	功能	電壓極性
1	象限1	正
2	公共P極	負
3	象限4	正
4	環極	正
5	象限3	正
6	殼體	地
7	象限2	正

產品應用

● 激光瞄準、制導跟蹤及探索裝置

● 激光微定位、位移監控等精密測量系統

技術參數

特性參數	符號	測試條件（除另有規定外，TA=22℃±3℃）		參數值		單位
特性參數	符號	測試條件（除另有規定外，TA=22℃±3℃）		最小值	最大值	單位
響應度(交流)(象限)	Spi	λ=1.064μm VR=135 V	脈寬20 ns、Pin=2 mW	0.25	—	A/W
響應度(直流)(象限)	Rei		直流、Pin=1μw	0.30	—	A/W
響應度變化量(直流) (象限)a 響應度變化量(交流) (象限)a	ΔRei		TA=-45 ℃±2 ℃	—	50	%
暗電流(象限)	IDi	VR=135V Pin=0μw	TA=22℃±3℃	—	1	μA
暗電流(象限)	IDi		TA=70℃±3℃	—	10
暗電流(環)	ID		TA=22℃±3℃	—	10
暗電流(環)	ID		TA=70℃±3℃	—	100
結電容（象限）	Cji	VR=135V，f=1MHz		—	15	pF
光敏面直徑	φ			10	16	mm
等效噪聲功率	NEPi	λ=1.064 μm，VR=135 V ,脈寬20 ns		—	5×10-12	W/HZ1/2
擊穿電壓（象限、環）	VBR	IR=10μA		200	—	V
象元間靈敏度非均勻性	Rf	λ=1.064 μm，VR=135 V ，脈寬20 ns；Pin=2mW		—	5	%
象元內靈敏度非均勻性	Rfn	λ=1.064 μm，VR=135 V ，脈寬20 ns；Pin=2mW		—	5	%
象元間竄擾因子	SLi	λ=1.064 μm，VR=135 V ，脈寬20 ns；Pin=2mW		—	5	%

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